Tìm kiếm các địa chỉ mạ kẽm, bạn sẽ được tư vấn về hai công nghệ xi mạ nhúng nóng và điện phân. Tuy nhiên, quy trình của 2 công nghệ này khó mà phân biệt được, chúng có những đặc điểm khác nhau.

 

xi mạ nhúng nóng và điện phân

 

xi mạ nhúng nóng và điện phân

Xi mạ nhúng nóng và điện phân hay còn gọi là mạ nhúng kẽm nóng hoặc nhúng kẽm, là phương pháp mạ kẽm được chọn lựa nhiều nhất bởi ưu điểm độ bền vượt trội hơn so với mạ điện phân:

Ưu điểm xi mạ nhúng nóng

Ưu điểm của mạ nhúng nóng là lớp mạ bám trên toàn bộ bề mặt sản phẩm, bên trong và bên ngoài. Độ dày của mạ kẽm của ống thép từ 70 – 90 micron, và lớp kẽm khá bền với độ bám lên đến 10 năm.

Mạ kẽm nhúng nóng thường được lựa chọn cho những sản phẩm ngoại thất, các công trình điện đường dây ngoài trời, sản phẩm sắt thép, kim loại tiếp xúc nhiều với gió biển, nước mưa, ánh nắng…

 

Nhược điểm xi mạ nhúng nóng

Giá thành cao hơn so với mạ kẽm điện phân và lớp kẽm phủ trên bề mặt sản phẩm sẽ không được sáng bóng và đẹp bằng mạ kẽm điện phân.

Đối với những sản phẩm sắt thép có độ dày mỏng như tole tấm 1-2ly, khi nhúng kẽm nóng sẽ bị trường hợp cong vênh do tác động của nhiệt.

 

Mạ kẽm điện phân

Ưu điểm

Đối với xi mạ điện phân vì lớp kẽm bám mỏng hơn, chỉ từ 20 – 30micron nên trên bề mặt sản phẩm sẽ sáng, bóng, mịn hơn so với mạ kẽm nhúng nóng. Giá thành rẻ và sản phẩm sắt thép mỏng khi mạ điện phân không bị ảnh hưởng của nhiệt làm cho cong vênh.

 

Nhược điểm

Lớp mạ kẽm chỉ bám ở bề mặt bên ngoài đối với các sàn phẩm sắt ống hay sắt hộp rỗng bên trong. Và có độ bền lớp mạ kẽm chỉ được khoảng 2 – 5 năm khi để ngoài trời.

Công ty Cơ khí Anpha đảm bảo sự uy tín chất lượng, chi phí hợp lý. Công ty được thành lập từ năm 2009, với hơn 10 năm hình thành và phát triển, Anpha đã trở thành đối tác đáng tin cậy của nhiều đơn vị xây dựng trên cả nước bằng tiêu chuẩn chất lượng trong từng sản phẩm, đội ngũ nhân viên có trình độ kỹ thuật cao và hơn cả là mức giá thành rất hợp lý. Nếu bạn muốn tìm hiểu xi mạ nhúng nóng và điện phân liên hệ ngay thông tin bên dưới.